集邦科技表示，第2季DRAM合約價格漲幅高於預期。資料照片

【楊喻斐╱台北報導】三星、美光2大記憶體大廠今年紛紛轉進1X奈米製程，研究機構集邦科技表示，受到原廠先進製程轉換不順，第2季DRAM（動態隨機存取記憶體）合約價格續漲12.5%，漲幅高於預期。

三星18奈米相容問題

集邦科技指出，原廠先進製程品質問題頻傳，第2季標準型記憶體供貨吃緊情況未見舒緩，價格漲幅超乎預期，就目前的成交價格看來，第2季4GB DDR4模組合約均價來到27美元，相較第1季的24美元，漲幅約12.5%。
集邦科技研究協理吳雅婷表示，進入第2季，全球記憶體市場仍呈現供貨吃緊的狀態，各電腦代工大廠正陸續與主要DRAM原廠議定新季度的合約價格，原先市場期待供給即將增加。
但由於三星、美光等先進大廠在18或17奈米上都出現品質異常的狀況，使得供貨吃緊的態勢仍未得到紓解，第2季整體DRAM確定維持上漲走勢。
吳雅婷表示，三星18奈米的標準型記憶體於第1季進入量產階段，但由於先進製程的設計難度高，在生產的過程中容易與部分筆電的平台出現相容性相關的問題，導致產線的不良率過高，影響出貨，目前三星半導體正積極解決該異常狀況，但出貨不順使供貨吃緊的態勢未能舒緩。
同時，美光的17奈米產品也已陸續送交樣品給客戶做測試，目前測試過程並不順利，原先設定在第2季度可能量產的目標恐將推遲，不過美光日前澄清指出，量產進度符合預期，將在2017年會計年度有大量產出與貢獻。 

伺服器記憶體也大漲

吳雅婷指出，三星和美光的狀況說明製程轉進20奈米以下，在設計、生產的難度都大幅提高，同時製程微縮能獲得的位元成長越來越少，使得供貨端吃緊的態勢若要得到舒緩，還需花費更多時間。
吳雅婷進一步指出，第2季伺服器記憶體的漲幅也相當明顯，將達到10%~15%，而行動式記憶體在中國智慧型手機的出貨動能尚未大幅轉強以前，預估第2季行動式記憶體漲幅不到5%，漲幅最小。